大家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要(yào)遵守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西(xcac2制取c2h2，cac2形成过程电子式ī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　cac2制取c2h2，cac2形成过程电子式有(yǒu)券商此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 cac2制取c2h2，cac2形成过程电子式