分压公式是什么，分压公式是什么意思

　　大家好，来(lái)看(kàn)一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来自中国分压公式是什么，分压公式是什么意思市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际(jì)存(cún)储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙分压公式是什么，分压公式是什么意思(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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