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为什么风流女人看指甲

为什么风流女人看指甲 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

  美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售的(de)产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

  据网信办消息,日前(qián),网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

  审(shěn)查发(fā)现,美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患,对我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风险,影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为此,网络安全审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规,我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查,目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危(wēi)害国(guó)家关键信(xìn)息基(jī)础设施安全,是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng),只要遵守中(zhōng)国法为什么风流女人看指甲律法规要求,欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全,防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络(luò)安(ān)全风(fēng)险,维护国家安全,依(yī)据(jù)《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》,对(duì)美光公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止(zhǐ)采购!

  美(měi)光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头,也是全球存储芯(xīn)片巨头之一,2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57%降至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù为什么风流女人看指甲)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flas为什么风流女人看指甲h (闪存(cún))市场份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中(zhōng),江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美(měi)光等(děng)国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

  美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降,至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商(shāng),采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示,江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约,确保存储晶圆供应的稳定性(xìng),巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势,公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

  有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分析(xī),如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì),或将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分(fēn)析称,长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽,催生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露,薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75%。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单,设备国产化进(jìn)程加(jiā)速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公司份额提升,以(yǐ)及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较高(gāo)的(de)华海清科(kē)(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等(děng)收入增长。

 

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