大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安一立方分米等于多少升 一立方分米等于多少斤(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯片一立方一立方分米等于多少升 一立方分米等于多少斤分米等于多少升 一立方分米等于多少斤行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大和第三(sān)大供应(yīng)商采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客(kè)户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能(néng)会更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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