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　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键(j恋爱初期很平淡还有必要谈吗，有男朋友却感觉不像在谈恋爱iàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ恋爱初期很平淡还有必要谈吗，有男朋友却感觉不像在谈恋爱)设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和(hé)第三(sān)大(dà)供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能(néng)会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入(rù)美(měi)国限制(zhì)名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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