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　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ)，fe2o3是什么化学名称，feo是什么化学名称网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安(ān)全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护国家安全(quán)，依(yī)据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网fe2o3是什么化学名称，feo是什么化学名称络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第(dì)三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或(huò)从中(zhōng)受益(yì)。存储器的(de)生产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份(fèn)额(é)提(tí)升，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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