大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关键信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DR4开头的是哪个省，4打头身份证是哪里AM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大(dà)、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下游4开头的是哪个省，4打头身份证是哪里(yóu)市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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