大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一(yī)礼字五笔怎么打字，礼字五笔怎么打字五笔怎么打开，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单，礼字五笔怎么打字，礼字五笔怎么打字五笔怎么打开设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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