大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络香港区号是多少安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。<香港区号是多少/p>

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基础设施供(gōng)应链(liàn)安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，香港区号是多少对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司(sī)份额(é)提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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