大家好，来看一(yī)则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美(měi)光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(b走后门是一种怎样的体验知乎，走后门是什么感受àn)公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(走后门是一种怎样的体验知乎，走后门是什么感受rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 O走后门是一种怎样的体验知乎，走后门是什么感受mdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占(zhàn)比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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