大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止当兵多久回家一次 嫁给当兵12年的人好吗采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家(jiā)安全(quán)的必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安当兵多久回家一次 嫁给当兵12年的人好吗全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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