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　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查(chá)的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的(de)必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链安(ān)全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储芯片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公(gōng)司披露过美当兵至少要当几年才可以退伍呢，当兵至少当几年才能退伍光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大(dà)供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经当兵至少要当几年才可以退伍呢，当兵至少当几年才能退伍过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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