大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安(ān)全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安(ān)全，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国(guó申请结尾的恳请语怎么写，特此申请的特是什么意思)家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披(pī)露过美(měi)光等(děng)国际(jì)存储厂商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期(qī)合约，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆供应的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优(yōu)势(shì)，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的申请结尾的恳请语怎么写，特此申请的特是什么意思(de)深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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