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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审当兵后微信会受影响吗，当兵的不能玩微信吗(shěn)查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各(gè)类平(píng)台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中当兵后微信会受影响吗，当兵的不能玩微信吗华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武(w当兵后微信会受影响吗，当兵的不能玩微信吗ǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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