大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存中元节一般过几天，鬼节不能吃什么东西在较严重网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安中元节一般过几天，鬼节不能吃什么东西(ān)全，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)中元节一般过几天，鬼节不能吃什么东西的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名单(dān)，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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