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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息(x美国各州的缩写是什么，美国各州缩写英文字母ī)基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家(jiā)安全(quán)法》《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙(美国各州的缩写是什么，美国各州缩写英文字母lóng)与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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