大家好，来看(kàn)一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进35c到底有多大，35c是多少高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应链安(ān)全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额(é)约为 35c到底有多大，35c是多少96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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