大家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)办法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎ正五边形的外角和等于多少度第二人生，正五边形的外角和等于多少度的内角ng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占正五边形的外角和等于多少度第二人生，正五边形的外角和等于多少度的内角3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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