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　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全(quán)风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存(cún)储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022挂号信几天能到，一般什么情况会用挂号信年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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