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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安(ān)全(quán)问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法作出不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平(píng)对(duì)外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服(fú)务(wù)进(jìn)入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)按照(zhào)《网络安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(一公里大概多少步 一公里大概要走几分钟gōng)司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜(mó)沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提(tí)升(shēng)，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(一公里大概多少步 一公里大概要走几分钟qīng)洗）等收入增长。

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