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　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依(y耐克折扣店是真的吗，街边的耐克折扣店是真的还是假的ī)法对美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三耐克折扣店是真的吗，街边的耐克折扣店是真的还是假的大(dà)供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期(qī)合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

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