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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法律法规(guī)虚部是什么意思，复数的实部和虚部是什么要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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