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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的(de)产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现(xiàn)，蒙口是什么档次，蒙口是什么档次的牌子rong>美光公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、S蒙口是什么档次，蒙口是什么档次的牌子olidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(蒙口是什么档次，蒙口是什么档次的牌子pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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