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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示，江波(bō)龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主铜祖在古代是干什么的，铜祖是什么用处要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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