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实属和属实区别在哪,实属与属实的区别

实属和属实区别在哪,实属与属实的区别 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来(lái)看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查

  据网信办消息,日前,网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

  审(shěn)查发现,美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患(huàn),对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险,影(yǐng)响我国(guó)国(guó)家安全。为此,网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规,我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施(shī)的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

  此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查,目的(de)是防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全,是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放,只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要(yào)求,欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

  半导体突(tū)发!中国(guó)出手(shǒu):停止采购!

  3月(yuè)31日,中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng),为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全,防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险,维护(hù)国家安全,依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》,网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查办法》,对美(měi)光(guāng)公司(Micron)在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安实属和属实区别在哪,实属与属实的区别全审查。

  半导(dǎo)体突发(fā)!中国(guó)出手(shǒu):停(tíng)止采购!

  美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头,也是全球存储芯片(piàn)巨头之一,2022年收入来自中国市场收入实属和属实区别在哪,实属与属实的区别(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57%实属和属实区别在哪,实属与属实的区别降至2022年约(yuē)11%。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM (内存)市(shì)场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应商。

  美光在(zài)江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降,至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

  公告显示(shì), 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示,江波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部(bù)数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合(hé)约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固(gù)公司在下游市场的供应优势,公司也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

  有券(quàn)商此(cǐ)前就分析,如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制,或(huò)将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士,国内长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài),2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽,催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75%。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单,设备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速(sù),看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司(sī)份额提升(shēng),以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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