大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业文章千古事得失寸心知是谁的诗句名句，文章千古事 得失寸心知是谁的名句链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西(xī)部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制文章千古事得失寸心知是谁的诗句名句，文章千古事 得失寸心知是谁的名句，或将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均文章千古事得失寸心知是谁的诗句名句，文章千古事 得失寸心知是谁的名句需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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