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　　美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大大冤种什么意思，大冤种和大怨种区别、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28大冤种什么意思，大冤种和大怨种区别％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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