大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。定性变量与定量变量区别在哪，定性变量与定量变量区别根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)定性变量与定量变量区别在哪，定性变量与定量变量区别龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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