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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审查青金石的五行属性，青金石的五行属性是什么trong>

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础设青金石的五行属性，青金石的五行属性是什么施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司(sī)披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。