闯关东三个儿子的结局，闯关东三个媳妇的结局

　　大家(jiā)好(hǎo)，来看一(yī)则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链造(zào)成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安(ān)闯关东三个儿子的结局，闯关东三个媳妇的结局全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)的(de)结(jié)论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安(ān)全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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