大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)逆天邪神为什么不更新了 逆天邪神是什么时候开始写的络(luò)安全(quán)审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)，目(mù)的是(shì)防范产(chǎn)品逆天邪神为什么不更新了 逆天邪神是什么时候开始写的(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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