大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(x什么的阳光填合适的词 阳光恰当的词语有哪些iǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng什么的阳光填合适的词 阳光恰当的词语有哪些)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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