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　　美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的(de)运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíngbjd娃娃是用什么做的 bjd娃娃可以一起睡吗)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一(ybjd娃娃是用什么做的 bjd娃娃可以一起睡吗ī)，2022年收入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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