大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)，目(mù)的(de)是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　<2021泰安中考成绩查询入口网站，2021泰安中考成绩查询入口在哪img alt="半导体突(tū)发！中国出手：停止采购(gòu)！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212185.png">

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)2021泰安中考成绩查询入口网站，2021泰安中考成绩查询入口在哪公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势(shì)，公(gōng)司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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