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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络意映卿卿如晤什么意思，意映卿卿如晤读音安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护(hù)国家(jiā)安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范产品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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