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　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对(duì)美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重物尽其才人尽其用是什么意思，人尽其用打一生肖大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对(duì)美(m物尽其才人尽其用是什么意思，人尽其用打一生肖ěi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

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