大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)三公分是多少厘米 三公分是多少毫米国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问三公分是多少厘米 三公分是多少毫米题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。三公分是多少厘米 三公分是多少毫米p>

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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