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　　美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)五大洋还是四大洋 南大洋中国承认了吗息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前(五大洋还是四大洋 南大洋中国承认了吗0000; line-height: 24px;'>五大洋还是四大洋 南大洋中国承认了吗qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可(kě)能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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