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改造文章的祖师是谁 改造文章的祖师爷是谁

改造文章的祖师是谁 改造文章的祖师爷是谁 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发消息(xī)。

  美光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

  据网信办消息,日前(qián),网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安全审查(chá)。

  审查(chá)发(fā)现,美光公司(sī)产品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn),影响我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ),网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规,我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

  此次(cì)对美(měi)光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查,目的是(shì)防(fáng改造文章的祖师是谁 改造文章的祖师爷是谁)范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全,是(shì)维护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放,只要遵(zūn)守中国法律法规要求,欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

  半导体突(tū)发(fā)!中国(guó)出手(shǒu):停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  3月31日(rì),中国网信网发文称,为保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全,防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险(xiǎn),维(wéi)护(hù)国家安全,依据《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》,网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  美光是(s改造文章的祖师是谁 改造文章的祖师爷是谁hì)美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头(tóu),也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一,2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披改造文章的祖师是谁 改造文章的祖师爷是谁露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降,至少(shǎo)已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

  公告显(xiǎn)示(shì), 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一(yī)大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供应商(shāng),采购(gòu)约31亿(yì)元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示,江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约,确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng),巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供(gōng)应(yīng)优势,公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有(yǒu)券商此(cǐ)前就(jiù)分析,如(rú)果美(měi)光在中国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制,或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士,国(guó)内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo),催生(shēng)更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75%。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入美(měi)国限制名单,设备(bèi)国产化进程加速,看好(hǎo)拓荆科技(jì)(薄膜沉积)等相关公司份额提(tí)升,以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入(rù)增(zēng)长。

 

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