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　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全(quán)审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要(yào)措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì吴亦凡的案件是怎么回事，吴亦凡事件立案了吗)中国(guó)市场(chǎng)收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(m吴亦凡的案件是怎么回事，吴亦凡事件立案了吗ù)前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。吴亦凡的案件是怎么回事，吴亦凡事件立案了吗strong>存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。