大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大安全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ天津面积多少平方公里)采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　天津面积多少平方公里>

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施(shī)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、天津面积多少平方公里美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降(jiàng)，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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