大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全(quán)审(sh泰伯改字文言文翻译及注释，泰伯改字文言文翻译及原文ěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安全(quán)审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成(chéng)网络(luò)安全风(fēng)险，维护(hù)国家(jiā)安泰伯改字文言文翻译及注释，泰伯改字文言文翻译及原文全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第(dì)二大和(hé)第(dì)三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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