大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　a的负一次方是多少矩阵，a的负一次方是多少线性代数mg alt="半(bàn)导体突(tū)发！中国出(chū)手：停止采购(gòu)！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212185.png">

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造(zào)成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)20a的负一次方是多少矩阵，a的负一次方是多少线性代数22年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露(lù)过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAa的负一次方是多少矩阵，a的负一次方是多少线性代数ND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长。

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