大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司彩礼可以转账吗，彩礼一般用什么方式给女方产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等(děng)公司(sī)披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外彩礼可以转账吗，彩礼一般用什么方式给女方(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国(guó)区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限(xi彩礼可以转账吗，彩礼一般用什么方式给女方àn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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