大(dà)家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在(zài)较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是(shì)维(wéi)护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

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　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （三眼蟹为什么有三个眼，三眼蟹为什么有三个眼睛闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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