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225是多大码的鞋子女,225是多大码的鞋子 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消(xiāo)息。

  美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

  据网(wǎng)信办(bàn)消息(xī),日前,网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

  审查发现,美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn),对我(wǒ)国(guó)关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险(xiǎn),影响我国国家安全(quán)。为此,网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规,我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

  此次(cì)对美光公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行网络安(ān)全审查,目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全,是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放,只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要(yào)求,欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

  半导体(tǐ)突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  3月31日(rì),中国网信网(wǎng)发(fā)文称,为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全(quán),防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险,维(wéi)护国家安全,依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全(quán)法》,网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全审查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在(zài)华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)!

  美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据(jù)市场咨(zī)询(xún)机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额(é)约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

  美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降,至少(shǎo)已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

  公(gōng)告显(xiǎn)示(shì), 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长期合约(yuē),确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性,巩(gǒng)固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势(shì),公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

  有券商此前(qián)就(jiù)分析,如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制,或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产(chǎn)品

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大量的225是多大码的鞋子女,225是多大码的鞋子(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤,同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的深(shēn)孔(kǒng),未(wèi)来(lái)可(kě)能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽,催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75%。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单,设备国产化进程(chéng)加速(sù),看好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相关(guān)公司(sī)份额提升,以及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华(huá)海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清(qīng)洗)等收入增长。

 

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