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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎn一对璧人还是一双璧人呢，一对璧人什么意思g)我国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实(shí)施(shī)网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(一对璧人还是一双璧人呢，一对璧人什么意思fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一(yī一对璧人还是一双璧人呢，一对璧人什么意思)大、第(dì)二大和(hé)第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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