大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的(de)产品未(wèi)通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自(zì)中国(guó)市场收入从(cóng)此前(q电流单位1a等于多少毫安，电流1a等于多少mahián)高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受(sh电流单位1a等于多少毫安，电流1a等于多少mahòu)益。存(cún)储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业(yè)务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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