大家(jiā)好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定(dìng)推精忠报国的故事及主人公简介50字，精忠报国的故事及主人公简介100字(tuī)进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转精忠报国的故事及主人公简介50字，精忠报国的故事及主人公简介100字而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，精忠报国的故事及主人公简介50字，精忠报国的故事及主人公简介100字国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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