大(dà)家好，来看(kàn)一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行(xíng)了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规，两只小白兔在衬衫里抖来抖去，老师两只大兔子来回晃我国内关键信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机两只小白兔在衬衫里抖来抖去，老师两只大兔子来回晃构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在(zài)下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、两只小白兔在衬衫里抖来抖去，老师两只大兔子来回晃 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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